紅外線(xiàn)加熱裝置 

 

 我國從20世紀60年代開(kāi)始對紅外線(xiàn)加熱裝置進(jìn)行了研究、開(kāi)發(fā)和應用。雖然起步較晚，但并不影響紅外線(xiàn)加熱裝置的發(fā)展進(jìn)程。我國著(zhù)名的紅外線(xiàn)加熱技術(shù)老前輩湯定元、吉林大學(xué)候蘭田教授、中科院上海硅酸鹽研究所的夏繼余等人在遠紅外線(xiàn)的理論研究方面取得了巨大的成果。天津大學(xué)褚治德教授率先建立了國內第一座多用途實(shí)驗室遠紅外干燥爐，在工程理論、應用性研究方面獨樹(shù)一幟。近幾年山東大學(xué)朱波等研制的碳纖維加熱管也已經(jīng)得到廣泛應用。   4．1碳化硅陶瓷加熱器 

  碳化硅陶瓷加熱板是我國在20世紀60年代研究開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品[7]。其形狀有平板狀、波浪狀兩種，由于波浪狀的輻射面積大，因而使用較多。圖1是波浪板式輻射元件的結構示意圖，其主要特點(diǎn)是輻射面積大、輻射強度高并且均勻。但這類(lèi)元件的機械性能一般較脆，不耐撞擊和振動(dòng)并且安裝檢修較麻煩射面積大，因而使用較多。圖1是波浪板式輻射元件的結構示意圖，其主要特點(diǎn)是輻射面積大、輻射強度高并且均勻。但這類(lèi)元件的機械性能一般較脆，不耐撞擊和振動(dòng)并且安裝檢修較麻煩[8]。

        圖1波浪板式遠紅外線(xiàn)輻射元件    碳化硅可分為天然和人造兩種，為六角晶體，色澤有黑色與綠色兩種，具有很高的硬度，熔點(diǎn)為2600℃（分解升華），熱導率隨溫度的增加而減少，從室溫的λ＝489．8W/（m·K）到500℃時(shí)的50．2W/（m·K），降低一個(gè)數量級，熱膨脹系數α相當鎳鉻絲的1/3左右。碳化硅加熱器的表面溫度600℃以下熱響應較慢，升溫時(shí)間長(cháng)，但熱穩定性好。   4．2金屬管式遠紅外加熱器    氧化鎂管式加熱器的結構如圖2所示。在管的中心是電熱絲，在管的基體與電熱絲的中間填充了氧化鎂粉末，在基體上涂了一層遠紅外輻射涂層。它的機械強度較高、安裝維修方便、質(zhì)量較輕、加熱速度快，在基體與電熱絲之間填充的氧化鎂粉末，可防止氧氣進(jìn)入使得電阻絲氧化，提高了加熱裝置的使用壽命。它的輻射面積小，若是長(cháng)期使用，遠紅外輻射涂層容易脫落